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产品名称:中子辐照区熔单晶硅棒
电源电压
电源频率
电源相数

1.产品概况

    本征区熔单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于可控硅以及绝缘栅双极晶体管(IGBT)等各类大功率控制器件、新型电力电子器件

2.区熔单晶规格参数

导电类型

N

尺寸(mm

3

4

5

6

电阻率 Ω•cm

50-450(按客户需求)

晶向

<100>

<111>

碳含量

2.0×1016/cm3

氧含量

1.0×1016/cm3

少子寿命

200us

纵向电阻率变化率

5%

径向电阻率变化率

5%

位错密度

500atom/cm2

漩涡缺陷

 

 

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