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产品名称:本征区熔单晶硅棒
电源电压
电源频率
电源相数

1.产品概况

       采用京运通自产区熔单晶炉,在惰性气体环境下利用悬浮区熔技术在悬浮区熔区对半导体级多晶硅棒料进行融化并生成高纯度单晶硅棒。所生成的晶体无污染、电阻率高、寿命高、杂质含量低。

 

 

2.单晶规格参数

导电类型

N

尺寸(mm

3

4

5

6

电阻率 Ω•cm

>3000

晶向

<100>

<111>

碳含量

2.0×1016/cm3

氧含量

1.0×1016/cm3

少子寿命

1000us

纵向电阻率变化率

10%

径向电阻率变化率

10%

位错密度

500atom/cm2

漩涡缺陷

 

 

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